中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的“集成電路測試結(jié)構(gòu)、其形成方法及其測試方法”專利公布。
專利摘要顯示：一種集成電路測試結(jié)構(gòu)、其形成方法及其測試方法，其中，集成電路測試結(jié)構(gòu)包括：襯底;位于襯底上的第一測試結(jié)構(gòu)，第一測試結(jié)構(gòu)包括第一測試線以及與第一測試線兩端分別連接的第一襯墊組和第二襯墊組;位于襯底上的第二測試結(jié)構(gòu)，第二測試結(jié)構(gòu)包括第二測試線以及與第二測試線連接的第三襯墊，所述第一測試線與第二測試線之間電隔離，所述第一測試線與第二測試線構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。所述集成電路測試結(jié)構(gòu)能夠利用同一結(jié)構(gòu)測試電阻和電容，提升了測得的電阻和電容之間相關(guān)性的準(zhǔn)確度。
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