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龍海專利代理機(jī)構(gòu)|三星被指盜取FinFET芯片專利技術(shù) 將被起訴

   據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。
  韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱,他們開(kāi)發(fā)了10納米FinFET工藝,但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù),并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
  KAIST表示,三星是在邀請(qǐng)F(tuán)inFET技術(shù)開(kāi)發(fā)者、首爾大學(xué)教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術(shù)原理時(shí)盜取了這項(xiàng)技術(shù)。李鐘浩是KAIST合伙人之一。
  “三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發(fā)明,從而削減了開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本。隨后,三星在沒(méi)有取得授權(quán)或支付適當(dāng)賠償金的情況下繼續(xù)使用李鐘浩的發(fā)明,”KAIST稱。
  KAIST表示,英特爾已意識(shí)到他們才是FinFET技術(shù)的真正開(kāi)發(fā)者,并取得了授權(quán)使用這項(xiàng)技術(shù),但是三星并未這么做。KAIST還認(rèn)為高通、臺(tái)積電也侵犯了FinFET技術(shù)專利。(轉(zhuǎn)自:中國(guó)專利信息中心)
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